Растровая электронная микроскопия (SEM)

Подготовка образца для SEM не вызывает затруднений, образец обрезается по определенным размерам (диаметр 10-30 мм), в зависимости от устройства крепления образца. На непроводящие или плохо проводящие образцы наносится слой золота, осажденный из паровой фазы. Метод растровой электронной микроскопии позволяет обеспечить большую глубину фокуса и высокий топологический контраст при увеличении в диапазоне 10x - 50,000x. Растровая электронная микроскопия  применяется для анализа морфологии поверхности, в особенности поверхности трещин, механических повреждений, коррозии. Растровая электронная микроскопия   позволяет отобразить структуру и распределение фаз в трехмерном измерении, если алюминиевую матрицу подвергнуть травлению. Данный метод подходит только для крупных фаз, например в литых сплавах и в материалах с усиленными волокнами, более мелкие элементы разрушаются при травлении. Растровая электронная микроскопия  может проводиться с рентгеновским спектрографом, который позволяет идентифицировать структурные компоненты более 0,1 mм (продукты коррозии. Если применяется отраженный электронный детектор, возможно проведение анализа плоских микросечений.