Морфология алюминия, подвергнутого гальванической обработке

Для того чтобы добиться от поверхности зеркальной отражательной способности, размер дефектов поверхности должен быть меньше длины световой волны.  Для изучения морфологии алюминия, подвергнутого гальванической обработке использовалась атомная микроскопия с разрешением на атомном уровне. Для различных условий гальванической обработки наблюдались два совершенно различных типа морфологии поверхности волн и холмиков, а при промежуточных условий наблюдались переходные структуры.

При увеличении напряжения обработки наблюдались увеличение волнового периода поверхности и амплитуды. До гальванической обработки диапазон измерений высоты поверхности составлял более 50 нм. В результате гальванической обработки диапазон  значений уменьшался до менее, чем 5 нм. Подобный результат наглядно демонстрирует, что правильное понимание химических и электрохимических условий, которые определяют шероховатость поверхности в процессе обработки, обеспечивает лучший контроль и более высокую производительность для поверхностей, являющихся плоскими на субмикрометрическом и нанометрическом уровне. Здесь можно упомянуть так же и о производстве дисков памяти для компьютеров и систем обработки данных, а так же производстве точечных матриц  путем нанесения металла на поры анодированного алюминия, где гальваническая обработка определяет плоскостность матрицы, имеющей два измерения, расстояние между порами и их однородность.

Схематическая иллюстрация природы одно и двухплоскостной морфологии  поверхности волн и холмиков для алюминия, подвергнутого гальванической обработке. Высота (h) находится в диапазоне от 0 до 5 нм, а пиковое расстояние находится в диапазоне от 50 до 150 нм, в зависимости от условий обработки 23.